삼투압측정법과 옴

삼투압측정과 옴 

 

 

 

∆T = K ·m

여기서 K는 몰응고점강하정수로 용매가 물인 경우 1.86 ℃ kg/mol 이다. 몰응고점강하정수는 질량몰농도로 정의되기 때문에 위의 식의 관계로부터는 질량오스몰농도가 얻어지지만 희박한 농도영역에서는 수치적으로 이 값을 용량오스몰농도 c (mol/L)와 같다고 볼 수 있다. 이 측정법에서는 실용적인 용량오스몰농도를 쓰고 단위는 Osm (osmol/L)이다. 1 Osm은 용액 1,000 mL 중 아보가드로수 (6.022 × 1023/mol)와 같은 개수의 입자가 존재하는 농도를 나타낸다. 오스몰농도는 보통 mOsm 단위로 나타낸다.

오스몰농도는 질량을 기준으로 나타낼 때 질량오스몰농도 (osmolality, mol/kg, m), 용량을 기준으로 나타낼 때 용량오스몰농도 (osmolality, mol/L)로 정의하며 실용적으로 용량오스몰농도를 쓴다. 따로 규정이 없는 한 오스몰농도의 측정에는 응고점강하법을 쓴다. 응고점강하법은 용매에 용질을 녹인 용액의 응고점이 강하하는 현상을 이용하여 얻은 응고점강하도 ∆T·(℃)와 질량오스몰농도 (m)간의 다음 관계식으로부터 질량오스몰농도 (m)를 구하는 방법이다.

 

고분자용액의 삼투압은 셀룰로오스막 등의 반투막을 사이로 한 정수압의 변화로부터 직접 측정되지만 저분자용액의 삼투압 측정을 위하여 쓸 수 있는 적당한 반투막은 없다. 저분자용액의 삼투압을 직접 측정할 수는 없지만 어떤 용액 중의 분자 및 이온 등의 총입자농도를 알면 그 용액이 생리적 조건하에 있을 때 세포막을 사이로 한 용매 (물)의 이동 방향과 크기를 알 수 있다. 순용매에 대한 용액의 응고점강하, 비점상승, 증기압강하 등의 속일성은 온도 또는 압력 등을 직접 측정하여 쉽게 구할 수 있다. 용액의 이러한 속일성은 삼투압과 마찬가지로 총입자농도에 의존하는 양으로, 이러한 성질을 이용하여 측정하는 총입자농도를 오스몰농도라고 정의한다.

 

오옴의 법칙 - 전압 전류 저항의 의미

 

                  

- V : 두 지점간의 전위차. 전자에 가해지는 압력이다.

- R : 전압차에 의해 당기는 힘이 발생할 때 전자가 흐르는데 이 때 흐름을 방해하는 정도를 말한다.

- I : 전자가 흐르는 량을 말한다.

 

 

 

전자가 흐를 때의 법칙은 간단하다. 이 때 전압은 두지점이다. 그럼 두 지점은 무엇을 말하는가? 물론 공간의 의미와 두 지점간의 전압차가 존재 해야 한다. 전압과 자유전자의 존재는 이해 발전을 통해 이루어 지고 이것이 특정 위치 까지는 저항 0이라는 것으로 처리 한다.  

 

전압

전압은 두 지점간의 전위차를 말하는 것이기 때문에 두지점이 필요하다. 이것은 다분히 상대치이다. 두 지점간에. 그런데 전자회로는 여러 소자들이 결합되어야 하나의 시스템이 만들어 진다. 따라서 여러 지점이 하나의 시스템에 존재한다. 그래서 여러 지점의 기준이 필요한데 이것이 GND(ground) 이다. 모든 지점은 이 기준전압으로 부터 전압이 결정된다. 주로 이것은 그 시스템내에서의 기준 전압일 뿐이다. 다른 기준지점간에도 전압차가 있지만 이것은 저항이 무한대라고 생각하고 하나의 시스템으로 상각하면 된다. 컴퓨터라면 컴퓨터내의 기준점으로 부터 전압을 말한다. 컴퓨터의 기준지점이 TV내의 기준점을 생각하지 않는다. 컴퓨터와 TV의 기준점 간의 전압은 얼마인지 모르지만 이것간의 저항을 무한대라고 생각하고 무시 한다. 따라서 컴퓨터를 설계하는 사람은 컴퓨터의 기준점으로 부터 시스템 내의 전압만을 고려 하여 설계하면 된다. 이것은 너무 당연 한것 같지만 회로 내부 설계에 편의성을 제공 한다.